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NTHL022N120M3S
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 230.14
25+
CNY 186.60
50+
CNY 164.38
100+
CNY 146.90
250+
CNY 132.77
500+
CNY 121.12
1000+
CNY 111.36
厂商： onsemi
库存件数： 60750
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×230.14 = 230.14
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：30
最大漏极电流Id(on)(A)：68
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~175
描述：1200V，30mΩ，68A，N沟道碳化硅MOSFET
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