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ESDR0502BT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 0.94 0.85
25+
CNY 0.82 0.74
50+
CNY 0.73 0.66
100+
CNY 0.65 0.59
250+
CNY 0.59 0.54
500+
CNY 0.54 0.49
1000+
CNY 0.50 0.45
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×0.85 = 0.85
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

雪崩电压VBR(Min.)(V):5.8
雪崩电压VBR(Nom.)(V):-
雪崩电压VBR(Max.)(V):-
IT(mA):1
最大反向漏电流IR(nA):1000
峰值反向工作电压VRWM(V):5
最大反向浪涌电流Ipp(A):1
最大反向电压(钳位电压)VC(V):15
最大齐纳阻抗Zzt(W):-
封装/温度(℃):SC-75-3/-55~150
描述:2通道低电容ESD
温馨提示

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