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TPS1120D
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 15.00
25+
CNY 12.80
50+
CNY 12.00
100+
CNY 11.25
250+
CNY 10.88
500+
CNY 10.50
1000+
CNY 9.75
厂商: Texas Instruments
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×15.00 = 15.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

FET数:2
漏源电压(V):-15
持续漏极电流最大值(A):-1.7
静态漏源直流电阻典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-40~85
描述:双路P沟道增强方式MOSFET
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