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NTH4L022N120M3S
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 202.93 182.64
25+
CNY 180.87 162.79
50+
CNY 163.14 146.83
100+
CNY 148.57 133.72
250+
CNY 136.39 122.76
500+
CNY 126.06 113.46
1000+
CNY 117.18 105.47
厂商： onsemi
库存件数： 89100
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×122.76 = 55242.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：30@18V
最大漏极电流Id(on)(A)：68
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO247-4L/-55~175
描述：1200V,22mΩ,68A,N 沟道 SiC 功率 MOSFET
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