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IPD800N06NG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 2.66
25+
CNY 2.42
50+
CNY 2.29
100+
CNY 2.22
250+
CNY 2.05
500+
CNY 1.96
1000+
CNY 1.90
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×2.66 = 2.66
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：80
最大漏极电流Id(on)(A)：16
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPAK-3/-55~175
描述：60V,16A,N沟道功率MOSFET
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