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IPB107N20N3G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 42.41
25+
CNY 38.55
50+
CNY 36.56
100+
CNY 35.34
250+
CNY 32.62
500+
CNY 31.18
1000+
CNY 30.29
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×42.41 = 42.41
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：10.7
最大漏极电流Id(on)(A)：88
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：D2PAK-4/-55~175
描述：200V,88A,N沟道功率MOSFET
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