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SPP20N60C3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 26.35
25+
CNY 23.96
50+
CNY 22.72
100+
CNY 21.96
250+
CNY 20.27
500+
CNY 19.38
1000+
CNY 18.82
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×26.35 = 26.35
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：190
最大漏极电流Id(on)(A)：20.7
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-220-3/-55~150
描述：600V,20.7A,N沟道功率MOSFET
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