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IPB60R160C6
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 19.32
25+
CNY 17.56
50+
CNY 16.65
100+
CNY 16.10
250+
CNY 14.86
500+
CNY 14.20
1000+
CNY 13.80
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×19.32 = 19.32
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：160
最大漏极电流Id(on)(A)：23.8
通道极性：N沟道
封装：D2PAK-4
描述：600V,23.8A,N沟道功率MOSFET
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