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IPW60R099CP
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 49.20
25+
CNY 44.73
50+
CNY 42.41
100+
CNY 41.00
250+
CNY 37.85
500+
CNY 36.18
1000+
CNY 35.14
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×49.20 = 49.20
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：99
最大漏极电流Id(on)(A)：31
通道极性：N沟道
封装：TO-247-3
描述：600V,31A,N沟道功率MOSFET
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