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STWA65N023M9
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 386.24
25+
CNY 257.49
50+
CNY 193.12
100+
CNY 128.75
250+
CNY 122.31
500+
CNY 119.09
1000+
CNY 115.87
厂商： STMicroelectronics
库存件数： 5700
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×119.09 = 71454.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻(mΩ)：23
最大电流漏极Id(on)(A)：92
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO?247 long leads-3/-55~150
描述：650V，23mΩ，92A，N沟道功率MOSFET
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