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FDC6321C
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 3.68
25+
CNY 2.98
50+
CNY 2.63
100+
CNY 2.35
250+
CNY 2.12
500+
CNY 1.94
1000+
CNY 1.78
厂商： Fairchild
库存件数： 6000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×1.78 = 5340.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：25/-25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：450@VGS=4.5V,1100@VGS=-4.5V
最大漏极电流Id(on)(A)：0.68/-0.46
通道极性：N/P沟道
封装/温度(℃)：SOT-6L/-55~150
描述：双N/P沟道MOSFET
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