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STD6N90K5
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 41.91
25+
CNY 27.94
50+
CNY 20.96
100+
CNY 13.97
250+
CNY 13.27
500+
CNY 12.92
1000+
CNY 12.57
厂商： STMicroelectronics
库存件数： 20
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×12.57 = 31425.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：900
源漏极最大导通电阻(mΩ)：1100
最大电流漏极Id(on)(A)：6
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPAK-3/-55~150
描述：900V，1.1Ω，6A，N通道功率MOSFET
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