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STW26NM60N
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 13.85
25+
CNY 13.16
50+
CNY 13.16
100+
CNY 12.74
250+
CNY 12.74
500+
CNY 11.77
1000+
CNY 11.08
厂商： STMicroelectronics
库存件数： 37800
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×11.77 = 7062.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻(mΩ)：165
最大电流漏极Id(on)(A)：20
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~150
描述：600V,0.135Ω,20A,N沟道功率MOSFET
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