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SCT070W120G3AG
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 301.04
25+
CNY 200.69
50+
CNY 150.52
100+
CNY 100.35
250+
CNY 95.33
500+
CNY 92.82
1000+
CNY 90.31
厂商: STMicroelectronics
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×301.04 = 301.04
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻(mΩ):87
最大电流漏极Id(on)(A):30
通道极性:-
封装/温度(℃):HiP247-3/-55~200
描述:汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
温馨提示

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