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SCT070W120G3AG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 301.04
25+
CNY 200.69
50+
CNY 150.52
100+
CNY 100.35
250+
CNY 95.33
500+
CNY 92.82
1000+
CNY 90.31
厂商： STMicroelectronics
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×301.04 = 301.04
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻(mΩ)：87
最大电流漏极Id(on)(A)：30
通道极性：-
封装/温度(℃)：HiP247-3/-55~200
描述：汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
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