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SCTW90N65G2V
单位（片）
价格（含13%增值税）
暂无
厂商： STMicroelectronics
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻(mΩ)：24
最大电流漏极Id(on)(A)：119
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：HiP247-3/-55~200
描述：650V,24mΩ,119A,N沟道碳化硅功率 MOSFET
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