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IPW60R041P6
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 50.48
25+
CNY 44.95
50+
CNY 43.18
100+
CNY 41.02
250+
CNY 39.53
500+
CNY 37.72
1000+
CNY 35.67
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 70
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×50.48 = 50.48
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：42
最大漏极电流Id(on)(A)：77.5
通道极性：N沟道
封装：PG-TO247-3/-55~150
描述：600V,77.5A,N沟道功率MOSFET
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