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IPW60R041P6
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 50.48
25+
CNY 44.95
50+
CNY 43.18
100+
CNY 41.02
250+
CNY 39.53
500+
CNY 37.72
1000+
CNY 35.67
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 70
货期: 现货
数量: 
-
  ×50.48 = 50.48
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42
最大漏极电流Id(on)(A):77.5
通道极性:N沟道
封装:PG-TO247-3/-55~150
描述:600V,77.5A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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