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BSC0904NSI
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 2.31
25+
CNY 2.06
50+
CNY 1.98
100+
CNY 1.88
250+
CNY 1.81
500+
CNY 1.73
1000+
CNY 1.63
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 70
货期: 现货
数量: 
-
  ×2.31 = 2.31
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.7
最大漏极电流Id(on)(A):78
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):PG-TDSON-8/-55~150
描述:30V,3.7mΩ,78A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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