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BSC0904NSI
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 2.31
25+
CNY 2.06
50+
CNY 1.98
100+
CNY 1.88
250+
CNY 1.81
500+
CNY 1.73
1000+
CNY 1.63
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 70
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×2.31 = 2.31
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：3.7
最大漏极电流Id(on)(A)：78
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-TDSON-8/-55~150
描述：30V,3.7mΩ,78A,N沟道功率MOSFET
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