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IPP045N10N3G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 11.65
25+
CNY 10.38
50+
CNY 9.97
100+
CNY 9.47
250+
CNY 9.13
500+
CNY 8.71
1000+
CNY 8.23
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 249
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×11.65 = 11.65
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：4.5
最大漏极电流Id(on)(A)：100
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~175
描述：100V,100A,N沟道功率MOSFET
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