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IPP045N10N3G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 11.65
25+
CNY 10.38
50+
CNY 9.97
100+
CNY 9.47
250+
CNY 9.13
500+
CNY 8.71
1000+
CNY 8.23
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 249
货期: 现货
数量: 
-
  ×11.65 = 11.65
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.5
最大漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~175
描述:100V,100A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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