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BSL316CL6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 1.34
25+
CNY 1.19
50+
CNY 1.15
100+
CNY 1.09
250+
CNY 1.05
500+
CNY 1.00
1000+
CNY 0.95
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 2900
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×1.34 = 1.34
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30/-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：160/150
最大漏极电流Id(on)(A)：1.4/-1.5
通道极性：N/P沟道
封装/温度(℃)：TSOP-6/-55~150
描述：30V/1.4A,-30V/-1.5A,N/P沟道组合功率MOSFET
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