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BSP125L6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 3.09
25+
CNY 2.75
50+
CNY 2.64
100+
CNY 2.51
250+
CNY 2.42
500+
CNY 2.31
1000+
CNY 2.18
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 1190
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×3.09 = 3.09
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：45000
最大漏极电流Id(on)(A)：0.12
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-223-3/-55~150
描述：600V,0.12A,N沟道功率MOSFET
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