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IPA70R600P7S
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.62
25+
CNY 4.20
50+
CNY 3.98
100+
CNY 3.85
250+
CNY 3.55
500+
CNY 3.39
1000+
CNY 3.30
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×4.62 = 4.62
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：700
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：600
最大漏极电流Id(on)(A)：8.5
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-40~150
描述：700V,8.5A,600mΩ,N沟道增强式功率MOSFET
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