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CWS5N65ADR
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.46
25+
CNY 4.29
50+
CNY 4.13
100+
CNY 3.96
250+
CNY 3.80
500+
CNY 3.63
1000+
CNY 3.30
厂商： CW
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×4.46 = 4.46
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：650
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：700
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：850
最大漏极电流Id(on)(A)：5
驱动电压(V)：10
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPAK-3/-55~125
描述：650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
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