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IPP410N30N
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 51.20
25+
CNY 46.55
50+
CNY 44.14
100+
CNY 42.67
250+
CNY 39.38
500+
CNY 37.65
1000+
CNY 36.57
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×51.20 = 51.20
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：300
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：41
最大漏极电流Id(on)(A)：44
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PG-TO220-3/-55~175
描述：300V,41mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
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