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BGA7H1BN6E6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 2.64 1.59
25+
CNY 2.40 1.44
50+
CNY 2.28 1.37
100+
CNY 2.20 1.32
250+
CNY 2.03 1.22
500+
CNY 1.94 1.17
1000+
CNY 1.89 1.14
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×1.59 = 1.59
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

工作电压(V)：1.5~3.6
工作频率(MHz)：1805~2690
增益(dB)：12.3
工作电流(mA)：4.3
射频类型：LTE
噪声系数(dB)：0.85
封装/温度(℃)：TSNP-6/-40~85
描述：用于LTE的硅锗低噪声射频放大器
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