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IPD65R250E6
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 13.85
25+
CNY 12.59
50+
CNY 11.94
100+
CNY 11.54
250+
CNY 10.65
500+
CNY 10.18
1000+
CNY 9.89
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 20
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×13.85 = 13.85
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：250
最大漏极电流Id(on)(A)：16.1
通道极性：N沟道
封装：PG-TO252-3/-55~150
描述：650V,250mΩ,16.1A,N沟道功率MOSFET
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