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IPD65R250E6
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 13.85
25+
CNY 12.59
50+
CNY 11.94
100+
CNY 11.54
250+
CNY 10.65
500+
CNY 10.18
1000+
CNY 9.89
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 20
货期: 现货
数量: 
-
  ×13.85 = 13.85
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):250
最大漏极电流Id(on)(A):16.1
通道极性:N沟道
封装:PG-TO252-3/-55~150
描述:650V,250mΩ,16.1A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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