0
您好，欢迎来到力源芯城，全场满300元包邮（首单满100包邮）！
热门搜索：STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

产品分类
首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  INFINEON，搭载反并联二极管的IGBT  »  IHW30N135R3
 
IHW30N135R3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 28.01
25+
CNY 25.46
50+
CNY 24.14
100+
CNY 23.34
250+
CNY 21.54
500+
CNY 20.59
1000+
CNY 20.00
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 50
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×28.01 = 28.01
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

集电极最大电流IC(A)(@25°)：60
集电极电流IC(Max.)(A)(@ 100°)：30
集电极-发射集饱和电压VCE(sat)(Typ.)(V)：1.65
集电极-发射集电压VCES(V)：1350
总功率Pt(W)：349
封装/温度(℃)：PG-TO247-3/-40~175
温馨提示

请稍候...
购物指南
新手上路
个人中心
发票须知
支付方式
在线支付
转账
退换货说明
售后服务
帮助中心
加盟代理
投诉建议
隐私协议
关于力源
公司介绍
联系方式
人才招聘
投资者关系
获取最新内容

立即订阅
手机商城
力源微信
全资子公司：
地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照