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IPP023NE7N3G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 30.03
25+
CNY 27.30
50+
CNY 25.88
100+
CNY 25.02
250+
CNY 23.10
500+
CNY 22.08
1000+
CNY 21.45
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 14
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×30.03 = 30.03
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：2.3
最大漏极电流Id(on)(A)：100
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~175
描述：75V,100A,N沟道功率MOSFET
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