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IPD50P04P4L-11
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.56
25+
CNY 4.15
50+
CNY 3.93
100+
CNY 3.80
250+
CNY 3.51
500+
CNY 3.36
1000+
CNY 3.26
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×4.56 = 4.56
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：10.6
最大漏极电流Id(on)(A)：-50
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：TO-252-3/-55~175
描述：-40V,-50A,P沟道功率MOSFET
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