0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  INFINEON,搭载反并联二极管的IGBT  »  IRGP4066DPBF
 
IRGP4066DPBF
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 52.82
100+
CNY 47.68
1000+
CNY 42.92
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×52.82 = 52.82
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

集电极最大电流IC(A)(@25°):140
集电极电流IC(Max.)(A)(@ 100°):90
集电极-发射集饱和电压VCE(sat)(Typ.)(V):1.7
集电极-发射集电压VCES(V):600
总功率Pt(W):454
封装/温度(℃):TO-247AC-3/-55~175
温馨提示

请稍候...
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照