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BGA7M1N6E6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.23 2.54
25+
CNY 3.85 2.31
50+
CNY 3.65 2.19
100+
CNY 3.53 2.12
250+
CNY 3.26 1.96
500+
CNY 3.11 1.87
1000+
CNY 3.02 1.82
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×2.54 = 2.54
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

工作电压(V)：1.5~3.3
工作频率(MHz)：1805~2200
增益(dB)：13
工作电流(mA)：4.4
射频类型：LTE
噪声系数(dB)：0.6
封装/温度(℃)：TSNP-6/-40~85
描述：针对于LTE的硅锗低噪声射频放大器
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