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BSP716NH6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 1.63
25+
CNY 1.48
50+
CNY 1.41
100+
CNY 1.36
250+
CNY 1.25
500+
CNY 1.20
1000+
CNY 1.16
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×1.63 = 1.63
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：180
最大漏极电流Id(on)(A)：2.3
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-SOT223-4/-55~150
描述：75V,180mΩ,2.3A,N沟道小信号MOSFET
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