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IPA057N08N3G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 9.66
25+
CNY 8.78
50+
CNY 8.33
100+
CNY 8.05
250+
CNY 7.43
500+
CNY 7.10
1000+
CNY 6.90
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×9.66 = 9.66
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：5.7
最大漏极电流Id(on)(A)：60
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-TO220FP-3/-55~175
描述：80V,5.7mΩ,60A,N沟道功率MOSFET
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