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BSZ018NE2LS
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 7.97
25+
CNY 7.24
50+
CNY 6.87
100+
CNY 6.64
250+
CNY 6.13
500+
CNY 5.86
1000+
CNY 5.69
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×7.97 = 7.97
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.8
最大漏极电流Id(on)(A)：40
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-TSDSON-8/-55~150
描述：25V,1.8mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
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