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FQD2N90TM
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 11.10
25+
CNY 9.00
50+
CNY 7.93
100+
CNY 7.08
250+
CNY 6.40
500+
CNY 5.84
1000+
CNY 5.37
厂商： Fairchild
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×11.10 = 11.10
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：900
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：7200
最大漏极电流Id(on)(A)：1.7
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：D-PAK-3/-55~150
描述：900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET
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