0
您好，欢迎来到力源芯城，全场满300元包邮（首单满100包邮）！
热门搜索：STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

产品分类
首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  INFINEON，功率MOSFET  »  IPP65R660CFD
 
IPP65R660CFD
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 8.12
25+
CNY 7.38
50+
CNY 7.00
100+
CNY 6.77
250+
CNY 6.25
500+
CNY 5.97
1000+
CNY 5.80
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×8.12 = 8.12
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：660
最大漏极电流Id(on)(A)：6
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~150
描述：650V,6A,0.66Ohm,N沟道MOSFET
温馨提示

请稍候...
购物指南
新手上路
个人中心
发票须知
支付方式
在线支付
转账
退换货说明
售后服务
帮助中心
加盟代理
投诉建议
隐私协议
关于力源
公司介绍
联系方式
人才招聘
投资者关系
获取最新内容

立即订阅
手机商城
力源微信
全资子公司：
地址：湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照