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BSD223PH6327
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CNY 0.60
100+
CNY 0.58
250+
CNY 0.54
500+
CNY 0.52
1000+
CNY 0.50
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×0.70 = 0.70
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1200
最大漏极电流Id(on)(A)：-0.39
通道极性：双P沟道
封装/温度(℃)：SOT-363-6/-55~150
描述：-20V,-0.39A,1.2Ω,双P沟道功率MOSFET
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