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BSC060N10NS3G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 15.42
25+
CNY 14.01
50+
CNY 13.29
100+
CNY 12.85
250+
CNY 11.86
500+
CNY 11.34
1000+
CNY 11.01
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×15.42 = 15.42
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：6
最大漏极电流Id(on)(A)：90
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TDSON-8/-55~150
描述：100V,90A,N沟道功率MOSFET
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