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BSO080P03SH
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 7.80
25+
CNY 7.09
50+
CNY 6.72
100+
CNY 6.50
250+
CNY 6.00
500+
CNY 5.74
1000+
CNY 5.57
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×7.80 = 7.80
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
最大漏极电流Id(on)(A):-14.9
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):PG-DSOIC-8/-55~150
描述:-30V,8mΩ,-14.9A P沟道功率MOSFET
温馨提示

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