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TPS2013DR
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 17.00 10.20
25+
CNY 14.50 8.70
50+
CNY 13.60 8.16
100+
CNY 12.75 7.65
250+
CNY 12.33 7.40
500+
CNY 11.90 7.14
1000+
CNY 11.05 6.63
厂商: Texas Instruments
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×10.20 = 10.20
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

FET数:1
输入电压最小值(V):2.7
输入电压最大值(V):5.5
限流最小值(A):1.65
每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):75
静态电流典型值(μA):73
过流报告功能:No
过热报告功能:No
封装/温度(℃):SOIC-8/-40~125
描述:过流,限流,欠压锁定,热关闭及ESD保护,电源分配开关
温馨提示

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