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ST,并行FLASH存储器

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工作电压(V)位密度(bit)结构接口访问速度(ns)静态电流(μA)最大擦写次数数据保存时间(年)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS工作电压(V)位密度(bit)结构接口访问速度(ns)静态电流(μA)最大擦写次数数据保存时间(年)封装/温度(℃)
M29W400DB55N6F-N STMicroelectronics 4 Mbit,3V闪存 775
(武汉库存)
货期:1-3工作日
1+CNY 13.52
25+CNY 13.52
50+CNY 13.52
100+CNY 13.52
250+CNY 13.52
500+CNY 13.52
1000+CNY 13.52


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2.7~3.6 4M x 8 并口 55 10 100000 20 TSOP-48/-40~85
M29W400DB55N6E-N STMicroelectronics 并行FLASH存储器 暂无
(武汉库存)
1+CNY 23.62
25+CNY 22.13
50+CNY 21.23
100+CNY 20.63
250+CNY 20.33
500+CNY 19.73
1000+CNY 19.14


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2.7~3.6 4M x 8 并口 55 10 100000 20 TSOP-48/-40~85
M29DW640D70N6E STMicroelectronics 64Mbit,3V,并行FLASH存储器 暂无
(武汉库存)
1+CNY 101.66
25+CNY 97.18
50+CNY 95.68
100+CNY 94.19
250+CNY 92.69
500+CNY 89.70
1000+CNY 86.71


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2.7~3.6 64M x 8 并口 70 10 100000 20 TSOP-32/-40~85
M29W400DB55N6E STMicroelectronics 4Mbit,3V,并行FLASH存储器 暂无
(武汉库存)
1+CNY 23.62
25+CNY 22.13
50+CNY 21.23
100+CNY 20.63
250+CNY 20.33
500+CNY 19.73
1000+CNY 19.14


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2.7~3.6 4M x 8 并口 55 10 100000 20 TSOP-28/-40~85
M29-400DB55N6F STMicroelectronics 4 Mbit,3V闪存 暂无
(武汉库存)
暂无

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2.7~3.6 4M x 8 并口 55 10 100000 20 TSOP-28/-40~85
M29W160EB70N6E-N STMicroelectronics 3V 16M Flash存储器 暂无
(武汉库存)
暂无

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2.7~3.6 16M x 8 并口 70 10 100000 20 TSOP-48/-40~85
M29W400DB55N6F STMicroelectronics 4 Mbit,3V闪存 暂无
(武汉库存)
1+CNY 16.80
25+CNY 16.80
50+CNY 16.80
100+CNY 15.55
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500+CNY 15.55
1000+CNY 14.31


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