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ST,射频晶体管

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频率(典型值)(MHz)输出功率(典型值)(W)增益(典型值)(dB)工作电压(Vdd/Vcc)(典型值)(V)效率(典型值)(%)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS频率(典型值)(MHz)输出功率(典型值)(W)增益(典型值)(dB)工作电压(Vdd/Vcc)(典型值)(V)效率(典型值)(%)封装/温度(℃)
PD84001 STMicroelectronics 18V,1.5A,N沟道射频功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 12.86
25+CNY 12.26
50+CNY 11.90
100+CNY 11.40
250+CNY 11.21
500+CNY 10.91
1000+CNY 9.76


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870 1 15 7.5 60 SOT-89-4/-~150
PD20015-E STMicroelectronics 15W,13.6V,2GHz,N沟道增强型侧向场效应射频功率晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 22.88
25+CNY 22.88
50+CNY 22.88
100+CNY 22.88
250+CNY 22.88
500+CNY 21.12
1000+CNY 21.12


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2000 15 11 13.6 53 PowerSO-10RF-3/-~165
PD20010-E STMicroelectronics 10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 65.78
25+CNY 65.78
50+CNY 65.78
100+CNY 65.78
250+CNY 65.78
500+CNY 60.72
1000+CNY 60.72


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2000 10 11 13.6 53 PowerSO-10RF-2/-~165
PD55003L-E STMicroelectronics 3W,12.5V,500MHz,LDMOS 射频功率晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 29.12
100+CNY 29.12
1000+CNY 29.12


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500 3 19 12.5 55 PowerFLAT(5x5)/-~150
PD57060S-E STMicroelectronics 60W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 301.60
100+CNY 301.60
1000+CNY 301.60


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945 60 14.3 28 54 PowerSO-10RF/-~165
PD57070S-E STMicroelectronics 70W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 312.00
100+CNY 312.00
1000+CNY 312.00


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945 70 14.7 28 50 PowerSO-10RF/-~165
SD2943W STMicroelectronics HF/VHF/UHF 射频功率N沟道MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 680.00
25+CNY 680.00
50+CNY 680.00
100+CNY 680.00
250+CNY 680.00
500+CNY 680.00
1000+CNY 680.00


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30 350 22 50 60 M177-5/-~200
PD55003-E STMicroelectronics N沟道增强型射频功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 58.00
25+CNY 58.00
50+CNY 58.00
100+CNY 58.00
250+CNY 58.00
500+CNY 58.00
1000+CNY 58.00


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500 3 17 12.5 52 PowerSO-10/-65~150
PD84002 STMicroelectronics 870MHz,2W,射频功率晶体管 暂无
(武汉库存)
1+CNY 13.00
25+CNY 13.00
50+CNY 13.00
100+CNY 13.00
250+CNY 13.00
500+CNY 13.00
1000+CNY 13.00


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1000 2 15 7.5 65 SOT-89-4/-65~150
STAC4932B STMicroelectronics HF/VHF/UHF射频功率N沟道MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 4208.10
25+CNY 2805.40
50+CNY 2104.05
100+CNY 1402.70
250+CNY 1332.57
500+CNY 1297.50
1000+CNY 1262.43


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250 1200 26 100 60 STAC244B-4/-65~150
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