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ST,高电压晶体管(>100V)

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类型集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V)集电极最大电流IC(Max.)(mA)耗散功率(W)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积fT(MHz)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS类型集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V)集电极最大电流IC(Max.)(mA)耗散功率(W)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积fT(MHz)封装/温度(℃)
2N3439 STMicroelectronics 350V,1A,硅NPN晶体管 暂无
(武汉库存)
暂无

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NPN 350 1000 10 30 160 15 TO-39-3/-65~200
BU508AW STMicroelectronics 700V,8A,NPN高压晶体管 暂无
(武汉库存)
暂无

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NPN 700 8 125 5 30 - TO-247-3/-65~150
BUL128D-B STMicroelectronics 400V,4A,NPN高压晶体管 暂无
(武汉库存)
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NPN 400 4 70 10 32 - TO-220-3/-65~150
BUL381D STMicroelectronics 400V,5A,NPN高压晶体管 暂无
(武汉库存)
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NPN 400 5 70 8 - - TO-220-3/-65~150
ST13003-K STMicroelectronics 400V,1.5A,NPN晶体管 暂无
(武汉库存)
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NPN 400 1500 - - 25 - SOT-32-3/-55~150
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