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INFINEON,RF MOSFET

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源漏极间雪崩电压VBR(V)最大漏极电流Id(on)(mA)噪声因素(dB)最大功耗(W)功率增益Gp(dB)通道极性封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)最大漏极电流Id(on)(mA)噪声因素(dB)最大功耗(W)功率增益Gp(dB)通道极性封装/温度(℃)
BG3130RH6327 Infineon Technologies 8V,0.025A,双N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 1.47
25+CNY 1.32
50+CNY 1.20
100+CNY 1.15
250+CNY 1.06
500+CNY 1.02
1000+CNY 0.95


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12 25 1.3 200 24 双N沟道 SOT-363-6/-55~150
BF2030E6814
(6折)
Infineon Technologies 8V,0.04A,N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 0.85 0.51
25+CNY 0.77 0.47
50+CNY 0.73 0.44
100+CNY 0.71 0.43
250+CNY 0.66 0.40
500+CNY 0.63 0.38
1000+CNY 0.61 0.37


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10 40 1.5 200 23 N沟道 SOT-143/-55~150
BF2040E6814 Infineon Technologies 8V,0.04A,N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 0.94
25+CNY 0.85
50+CNY 0.77
100+CNY 0.73
250+CNY 0.68
500+CNY 0.65
1000+CNY 0.60


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10 40 1.6 200 23 N沟道 SOT-143/-55~150
BF2030WH6814 Infineon Technologies 8V,0.04A,N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 0.97
25+CNY 0.87
50+CNY 0.79
100+CNY 0.76
250+CNY 0.70
500+CNY 0.67
1000+CNY 0.62


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10 40 1.5 200 23 N沟道 SOT-343/-55~150
BF2040WH6814 Infineon Technologies 8V,0.04A,N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 0.97
25+CNY 0.87
50+CNY 0.79
100+CNY 0.76
250+CNY 0.70
500+CNY 0.67
1000+CNY 0.62


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10 40 1.6 200 23 N沟道 SOT-343/-55~150
BG5120KH6327 Infineon Technologies 8V,0.02A,双N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 1.43
25+CNY 1.29
50+CNY 1.17
100+CNY 1.12
250+CNY 1.03
500+CNY 0.99
1000+CNY 0.92


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12 20 1.1 200 23 双N沟道 SOT-363-6/-55~150
BG3130H6327 Infineon Technologies 8V,0.025A,双N沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 1.20
25+CNY 1.09
50+CNY 1.03
100+CNY 1.00
250+CNY 0.92
500+CNY 0.88
1000+CNY 0.85


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12 25 1.3 200 24 双N沟道 SOT-363-6/-55~150
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