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ISSI

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位密度(bit)结构工作电压(V)操作频率(MHz)时钟周期时间(ns)封装/温度(℃)
共查询到 7 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS位密度(bit)结构工作电压(V)操作频率(MHz)时钟周期时间(ns)封装/温度(℃)
IS42S16160C-7TLI ISSI 256M(16Mx16) SDRAM 暂无
(武汉库存)
暂无
256M 16M x 16 3~3.6 143 7 TSOP-54/-40~85
IS43DR16320B-3DBLI ISSI 512Mbit(32Mx16) DDR2 SDRAM,333MHz 暂无
(武汉库存)
暂无
512M 32M x 16 1.8 333 5 BGA-84/-40~95
IS42S32800J-6BLI ISSI 256Mb(8M x 32)同步DRAM,166MHz,6ns 暂无
(武汉库存)
暂无
256M x 32 3.3 166 6 TFBGA-90/-40~85
IS42S16160G-7TLI ISSI 256Mb(16M x 16),同步DRAM 暂无
(武汉库存)
暂无
256M x 16 3~3.6 143 7 TSOP-54/-40~85
IS42S16160J-7TLI ISSI 256M(16Mx16)同步DRAM,143MHz,7ns 暂无
(武汉库存)
暂无
256M x 16 3.3 143 7 TSOP-54/-40~85
IS61WV51216BLL-10MLI ISSI 512Kx16异步SRAM 暂无
(武汉库存)
暂无
512K x 16 2.4~3.6 - 8 BGA-48/-40~85
IS43TR16128B-15HBLI ISSI 2Gb(128Mx16) DDR3 SDRAM 暂无
(武汉库存)
1+CNY 129.50
25+CNY 103.60
50+CNY 103.60
100+CNY 103.60
250+CNY 103.60
500+CNY 77.70
1000+CNY 51.80

2G 128M x 16 1.425~1.575 - 8 BGA-96/-40`95
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