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新一代深槽工艺 600V -700V 大功率超结 MOSFET CWSxxx 系列 SJ-MOSFET
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CWSxxx 系列 SJ-MOSFET（Super Junction MOSFET） 是一种高性能低功耗的新型 MOSFET 器件，采用独特的 Deep-Trench 工艺制造技术，导通电阻明显下降，高压应用时优势尤其突出，主要击穿电压范围：600-700V ，导通电阻覆盖 850-90mΩ 。
产品特点
新一代工艺：采用深槽（Deep-Trench）工艺
低内阻：特殊超结结构使得高压超结MOS的内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的 1/3-1/5
更高效率：较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通和开关损耗
低温升：较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命
驱动电流小：驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持
应用领域
适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器、智能手机、平板电脑充电器、大功率充电桩，通信电源以及工业电源等。
主要器件
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