注：“老批次折让销售”产品可能已拆包，批次也可能比较老，如果对包装和批次有特别要求，下单前请咨询销售代表。因用户自身原因错订误订，售后将无法受理。
SIHB24N80AE-GE3
厂商：
Vishay
库存件数：
29362
货期：
现货
数量：
×67.23 =
67.23
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 800 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 184 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 21 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TO-263-4/-55~150 |
| 描述： | 800V，184mΩ，21A，N沟道功率MOSFET |