Vishay 推出三款采用小尺寸薄型 SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。1 A 的 VS-3C01EJ12-M3 和 2 A 的 VS-3C02EJ07-M3 以及 VS-3C02EJ12-M3 采用合并 PIN 肖特基（MPS）设计，最小爬电距离为 3.2 mm，融合了低电容电荷与温度不变的开关特性等优点，可提高高速硬开关电源设计的效率。

全新第三代 SiC 二极管

• 这些 1 A 和 2 A 器件采用小尺寸 SlimSMA HV (DO-221AC) 封装，提供了低电容电荷和 3.2 mm 最小爬电距离

对于高压应用，该器件的高爬电距离增强了电绝缘性能，而其 SlimSMA HV 封装采用 CTI ³ 600 的模制化合物，以确保出色的电绝缘性。对于空间受限的设计，这些二极管厚度仅为 0.95 mm，而具有类似封装尺寸的 SMA 和 SMB 封装竞品的厚度为 2.3 mm。

与硅二极管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3 和 VS-3C02EJ12-M3 在任何温度下都能保持低至 7.2 nC 的低容性电荷，从而加快了开关速度，降低了功率损耗，提高了高频应用的效率。此外，这些器件几乎没有恢复尾电流，进一步提高了效率，而其 MPS 结构可降低正向压降至 1.30 V。

三款器件工作温度高达 + 175 °C，典型应用包括服务器电源中使用的 DC / DC 和 AC / DC 转换器的自举二极管、防并联二极管和 PFC 二极管；发电和存储系统；工业驱动器和工具；以及 X 射线发生器。这些器件具有正温度系数，便于在这些应用中实现并联。

这些二极管符合 RoHS 标准，无卤素，湿度灵敏度等级为 1，符合 J-STD-020 标准，并满足 JESD 201 第二类 whisker 测试要求。

器件规格表