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ST,功率MOSFET

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源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻(mΩ)最大电流漏极Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 697 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻(mΩ)最大电流漏极Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V 1
(武汉库存)
1+CNY 291.33
25+CNY 194.22
50+CNY 145.67
100+CNY 97.11
250+CNY 92.25
500+CNY 89.83
1000+CNY 87.40


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1200 54 40 - HiP247-4/-55~200
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V 531
(武汉库存)
1+CNY 207.17
25+CNY 138.11
50+CNY 103.58
100+CNY 69.06
250+CNY 65.60
500+CNY 63.88
1000+CNY 62.15


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1200 87 30 - HiP247-4/-55~200
STP110N7F6 STMicroelectronics 68V,6.5mΩ,110A,N沟道功率MOSFET 190
(武汉库存)
1+CNY 1.50
25+CNY 1.50
50+CNY 1.50
100+CNY 1.50
250+CNY 1.50
500+CNY 1.50
1000+CNY 1.50


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68 6.5 110 N沟道 TO-220-3/-55~175
STW72N60DM2AG STMicroelectronics 600V,42mΩ,66A,N沟道功率MOSFET 76
(武汉库存)
1+CNY 313.34
25+CNY 208.89
50+CNY 156.67
100+CNY 104.45
250+CNY 99.22
500+CNY 96.61
1000+CNY 94.00


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600 42 66 N沟道 TO-247-3/-55~150
SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics 1200V,60A,N 沟道功率 MOSFET 48
(武汉库存)
1+CNY 893.41
25+CNY 595.61
50+CNY 446.71
100+CNY 297.80
250+CNY 282.91
500+CNY 275.47
1000+CNY 268.02


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1200 52 60 N沟道 HIP247-4/-55~200
SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 汽车级碳化硅功率MOSFET,650V, 16
(武汉库存)
1+CNY 550.29
25+CNY 366.86
50+CNY 275.15
100+CNY 183.43
250+CNY 174.26
500+CNY 169.67
1000+CNY 165.09


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650 39.3 60 N沟道 HiP247-4/-55~200
STB57N65M5 STMicroelectronics 650V,42A,N沟道MOSFET 2
(武汉库存)
暂无

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650 63 42 N沟道 D2PAK-4/-55~150
STB5N62K3 STMicroelectronics 620V,4.2A,N沟道MOSFET 暂无 暂无

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620 1600 4.2 N沟道 D2PAK-4/-55~150
STB85NF55T4 STMicroelectronics 55V,42A,N沟道MOSFET 暂无 暂无

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55 8 80 N沟道 D2PAK-4/-55~150
STD100N3LF3 STMicroelectronics 30V,80A,N沟道MOSFET 暂无 暂无

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30 5.5 80 N沟道 DPAK-3/-55~150
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