力源芯城 - ST第三代碳化硅MOSFET

ST第三代碳化硅MOSFET

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意法半导体(ST)的碳化硅(SiC)器件SiC MOSFET电压范围为650V至2200V，具有业内领先的200°C额定结温，可实现更为高效、简洁的设计。在全温度范围内，较低的RDS(on)结合低电容和非常高的开关频率，在更高的效率和更小的系统尺寸和重量方面提高了应用性能。第三代碳化硅MOSFET甚至可以在15V Vgs下驱动。

封装

特性

获得汽车级(AG)认证的器件

超高温处理能力(最高Tj = 200°C)

极低的开关损耗(随温度变化很小)，支持以非常高的开关频率工作

在温度范围内具有低导通电阻

易于驱动

稳定的超快速本体二极管

应用

汽车

光伏

储能

充电桩

主要器件

产品型号	厂商	封装/温度(℃)	描述	资料
SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	HiP247-4/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT020H120G3AG	STMicroelectronics	H2PAK-7/-55~175	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	H2PAK-7/-55~175	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	HiP247-4/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	H2PAK-7/-55~175	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	HiP247-4/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	HiP247-3/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	H2PAK-7/-55~175	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	HU3PAK-7/-55~175	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	HiP247-4/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V
SCT070W120G3AG	STMicroelectronics	HiP247-3/-55~200	汽车级碳化硅功率MOSFET 1200V

☆	产品订购：毛先生邮箱：Leo.Mao@icchain.com

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