全新功率 MOSFET：
• 凭借业内先进的 5.6 mΩ RDS(ON) 和 336 mΩ*nC 的 RDS(ON)*Qg FOM 提高效率
• TrenchFET® 器件采用 PowerPAK® SO-8S 封装
• RthJC 低至 0.45 °C/W，ID 高达 144 A，从而提高功率密度

Vishay 推出采用 PowerPAK® SO-8S（QFN 6 x 5）封装的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 沟道功率 MOSFET，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用 PowerPAK SO-8 封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP 的总导通电阻降低了 68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中 MOSFET 的关键品质因数（ FOM ）降低了 15.4 %，RthJC 降低了 62.5 %，而连续漏极电流增加了 179 %。


日前发布的器件具有业内先进的导通电阻（10 V 时为 5.6 mΩ）以及导通电阻和栅极电荷乘积 FOM（336 mΩ*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此，设计人员能够提高效率，满足下一代电源的要求，例如 6 kW AI 服务器电源系统。此外，PowerPAK SO-8S 封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达 144 A 的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的 SOA 能力。

SiRS5700DP 非常适合同步整流、DC/DC 转换、热插拔开关和 OR-ing 功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储；通信电源；太阳能逆变器；电机驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET 符合 RoHS 标准且无卤素，经过 100 % Rg 和 UIS 测试，符合 IPC-9701 标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为 6 mm × 5 mm，完全兼容 PowerPAK SO-8 封装。